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| Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 75 GB 60 DLC Hochstzulassige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current Grenzlastintegral der Diode 2 I t - value, Diode Isolations-Prufspannung insulation test voltage tP= 1ms Tc= 75C Tc= 25C tP= 1ms, Tc= 75C VCES IC,nom. IC ICRM 600 75 100 150 V A A A Tc= 25C, Transistor Ptot 355 W VGES +/- 20V V IF 75 A IFRM 150 A VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125C I2t 450 A2s RMS, f= 50Hz, t= 1min. VISOL 2,5 kV Charakteristische Werte / Characteristic values Transistor / Transistor Kollektor-Emitter Sattigungsspannung collector-emitter saturation voltage Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage Eingangskapazitat input capacitance Ruckwirkungskapazitat reverse transfer capacitance Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current IC= 75A, VGE= 15V, Tvj= 25C IC= 75A, VGE= 15V, Tvj= 125C IC= 1,5mA, VCE= VGE, Tvj= 25C VCE sat min. VGE(th) 4,5 typ. 1,95 2,20 5,5 max. 2,45 6,5 V V V f= 1MHz, Tvj= 25C, VCE= 25V, VGE= 0V Cies - 3,3 - nF f= 1MHz, Tvj= 25C, VCE= 25V, VGE= 0V VCE= 600V, VGE= 0V, Tvj= 25C VCE= 600V, VGE= 0V, Tvj= 125C VCE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25C Cres - 0,3 1 1 - 500 400 nF A mA nA ICES IGES - prepared by: Andreas Vetter approved by: Michael Hornkamp date of publication: 2000-04-26 revision: 1 1 (8) BSM 75 GB 60 DLC 2000-02-08 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 75 GB 60 DLC Charakteristische Werte / Characteristic values Transistor / Transistor IC= 75A, VCC= 300V Einschaltverzogerungszeit (ind. Last) turn on delay time (inductive load) VGE= 15V, RG= 3,0, Tvj= 25C VGE= 15V, RG= 3,0, Tvj= 125C IC= 75A, VCC= 300V Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) VGE= 15V, RG= 3,0, Tvj= 25C VGE= 15V, RG= 3,0, Tvj= 125C IC= 75A, VCC= 300V Abschaltverzogerungszeit (ind. Last) turn off delay time (inductive load) VGE= 15V, RG= 3,0, Tvj= 25C VGE= 15V, RG= 3,0, Tvj= 125C IC= 75A, VCC= 300V Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) VGE= 15V, RG= 3,0, Tvj= 25C VGE= 15V, RG= 3,0, Tvj= 125C Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy loss per pulse Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy loss per pulse Kurzschluverhalten SC Data Modulinduktivitat stray inductance module Modul-Leitungswiderstand, Anschlusse - Chip lead resistance, terminals - chip Tc= 25C IC= 75A, VCC= 300V, VGE= 15V RG= 3,0, Tvj= 125C, L = 30nH IC= 75A, VCC= 300V, VGE= 15V RG= 3,0, Tvj= 125C, L = 30nH tP 10sec, VGE 15V Tvj125C, VCC=360V, VCEmax= VCES -LCE *di/dt Eon tf 20 35 0,7 ns ns mJ td,off 155 170 ns ns tr 22 25 ns ns td,on 63 65 ns ns min. typ. max. Eoff - 2,4 - mJ ISC - 340 - A LCE - 40 - nH RCC'+EE' - 1,2 - m Charakteristische Werte / Characteristic values Diode / Diode Durchlaspannung forward voltage IF= 75A, VGE= 0V, Tvj= 25C IF= 75A, VGE= 0V, Tvj= 125C IF= 75A, -diF/dt= 3000A/sec Ruckstromspitze peak reverse recovery current VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 25C VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 125C IF= 75A, -diF/dt= 3000A/sec Sperrverzogerungsladung recoverred charge VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 25C VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 125C IF= 75A, -diF/dt= 3000A/sec Abschaltenergie pro Puls reverse recovery energy VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 25C VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 125C Erec 2,3 mJ mJ Qr 5,1 7,9 C C IRM 95 115 A A VF min. - typ. 1,25 1,20 max. 1,6 V V 2 (8) BSM 75 GB 60 DLC 2000-02-08 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 75 GB 60 DLC Thermische Eigenschaften / Thermal properties min. Innerer Warmewiderstand thermal resistance, junction to case Ubergangs-Warmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Hochstzulassige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Betriebstemperatur operation temperature Lagertemperatur storage temperature Transistor / transistor, DC Diode / diode, DC pro Modul / per module Paste= 1W/m*K / grease= 1W/m*K RthJC RthCK - typ. 0,03 max. 0,35 0,66 K/W K/W K/W Tvj - - 150 C Top -40 - 125 C Tstg -40 - 125 C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehause, siehe Anlage case, see appendix Innere Isolation internal insulation Kriechstrecke creepage insulation Luftstrecke clearance CTI comperative tracking index Anzugsdrehmoment fur mech. Befestigung mounting torque Schraube M6 screw M6 M1 -15 Al2O3 15 mm 8,5 mm 275 5 +15 Nm % Gewicht weight G 180 g Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehorigen Technischen Erlauterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. 3 (8) BSM 75 GB 60 DLC 2000-02-08 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 75 GB 60 DLC Ausgangskennlinie (typisch) Output characteristic (typical) I C= f (VCE) VGE= 15V 150 125 Tvj = 25C Tvj = 125C 100 IC [A] 75 50 25 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 VCE [V] Ausgangskennlinienfeld (typisch) Output characteristic (typical) 150 I C= f (VCE) Tvj= 125C 125 VGE = 8V VGE = 9V VGE = 10V 100 VGE = 12V VGE = 15V VGE = 20V IC [A] 75 50 25 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 VCE [V] 4 (8) BSM 75 GB 60 DLC 2000-02-08 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 75 GB 60 DLC Ubertragungscharakteristik (typisch) Transfer characteristic (typical) I C= f (VGE) VCE= 20V 150 Tvj = 25C Tvj = 125C 125 100 IC [A] 75 50 25 0 5 6 7 8 9 10 11 12 13 VGE [V] Durchlakennlinie der Inversdiode (typisch) Forward characteristic of inverse diode (typical) 150 Tvj = 25C I F= f (VF) 125 Tvj = 125C 100 IF [A] 75 50 25 0 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 VF [V] 5 (8) BSM 75 GB 60 DLC 2000-02-08 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 75 GB 60 DLC Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) E on= f (IC), Eoff= f (IC), Erec= f (IC) RG,on= 3,0,=RG,off = 3,0 , VCC= 300V, Tvj= 125C ,= , 5,0 4,5 4,0 3,5 E [mJ] 3,0 2,5 2,0 1,5 1,0 0,5 0,0 0 25 50 75 100 125 150 Eon Eoff Erec IC [A] Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) 5,0 4,5 4,0 3,5 E [mJ] 3,0 2,5 2,0 1,5 1,0 0,5 0,0 0 5 10 Eon Eoff Erec E on= f (RG), Eoff= f (RG), Erec= f (RG) IC= 75A , VCC= 300V , Tvj = 125C 15 20 25 30 RG [] 6 (8) BSM 75 GB 60 DLC 2000-02-08 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 75 GB 60 DLC Transienter Warmewiderstand Transient thermal impedance Z thJC = f (t) 1 0,1 ZthJC [K / W] 0,01 Zth:IGBT Zth:Diode 0,001 0,001 0,01 0,1 1 10 t [sec] i ri [K/kW] i [sec] ri [K/kW] i [sec] 1 14,8 0,0018 232,6 0,0487 2 183,4 0,0240 223,1 0,0169 3 123,4 0,0651 140,1 0,1069 4 28,4 0,6626 64,2 0,9115 : IGBT : IGBT : Diode : Diode Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA) Reverse bias safe operation area (RBSOA) 175 150 125 100 75 IC,Modul 50 25 0 0 100 200 300 400 IC,Chip VGE= +15V, R G,off = 3,0, Tvj= 125C , IC [A] 500 600 700 VCE [V] 7 (8) BSM 75 GB 60 DLC 2000-02-08 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 75 GB 60 DLC Gehausemae / Schaltbild Package outline / Circuit diagram 13 10 M5 2,8 x 0,5 6 1 17 2 6 3 6 7 23 80 94 23 17 5 4 6 7 1 3 5 2 4 8 (8) BSM 75 GB 60 DLC 2000-02-08 |
Price & Availability of BSM75GB60DLC
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